1. 半導體晶圓制造產(chǎn)能向中國轉(zhuǎn)移，國內(nèi)半導體制造材料迎來發(fā)展機遇

半導體制造材料包含硅片、光刻膠、光掩膜、濺射靶材、CMP 拋光材料、濕化學品、電子特氣、石英材料等。近年來，半導體晶圓制造產(chǎn)能持續(xù)向中國 轉(zhuǎn)移，國內(nèi)各地加碼晶圓產(chǎn)能規(guī)劃，我們判斷國內(nèi)半導體制造材料行業(yè)已經(jīng) 進入快速上行趨勢，主要邏輯有三:1、下游市場不斷增長，IC Insight 預測 2018-2022 市場年均復合增速高達 14%;2、本土企業(yè)技術突破加速，個別細 分領域產(chǎn)品性能達國際先進水平，國產(chǎn)化率不斷提高;3、政策端持續(xù)大力支 持半導體相關材料領域發(fā)展，包括大基金、02 專項在資金和技術上的支持。

2. 硅片:材料市場占比*，大硅片發(fā)展空間大

硅片在半導體制造材料細分子行業(yè)中市場占比*，2018 年全球硅片市場規(guī) 模達 121.2 億美元。半導體制造所用硅片以 8 英寸和 12 英寸為主。目前 12 英寸硅片國產(chǎn)化率僅約 13%，隨國內(nèi)總需求提升及硅片國產(chǎn)化率提高，12 英 寸硅片行業(yè)將實現(xiàn)快速增長;8 英寸硅片下游終端對應的汽車電子及工業(yè)應 用半導體領域目前快速發(fā)展，將推動 8 英寸硅片需求進一步上行。

3. 光掩膜及光刻膠:光刻技術關鍵材料，國產(chǎn)替代待進一步突破

光掩膜及光刻膠(i 型、g 型、KrF 型和 ArF 型光刻膠)是光刻環(huán)節(jié)中的關鍵 材料，2018 年對應全球市場分別為 17.3、40.4 億美元。二者市場主要為日本 及歐美企業(yè)壟斷，國產(chǎn)化率水平低。以光刻膠行業(yè)為例，對應主流制程的 KrF 型光刻膠國產(chǎn)化率僅 5%，ArF 型光刻膠基本依賴進口。行業(yè)內(nèi)已有多家公司 開展相關研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目，預計兩種材料將在未來加快國產(chǎn)替代進程。

4. 濺射靶材:發(fā)展較快，國內(nèi)產(chǎn)品達*制程要求，國產(chǎn)化率高于 30%

濺射靶材如銅靶、鉭靶、鋁靶等主要應用于半導體制造過程中的金屬濺射環(huán) 節(jié)，2018 年全球市場為 8 億美元。經(jīng)我們測算，半導體濺射靶材國產(chǎn)化率高 于 30%，目前國內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品性能已滿足國際*半導體制程要求，未來可實 現(xiàn)大批量供貨。受益于晶圓廠產(chǎn)能提升，國產(chǎn)替代進程推進，預計行業(yè)將持 續(xù)發(fā)展。

5. 電子特氣、CMP 拋光材料、濕化學品:20%左右國產(chǎn)化率，國產(chǎn)替代將持 續(xù)推進

電子特氣(如高純度 SiH4、PH3、AsH3、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、 BF3、HCl、Cl2 等)、CMP 拋光材料(CMP 拋光液及拋光墊)、濕化學品(超凈 高純試劑和功能性材料等)三個細分子行業(yè) 2018 年全球市場分別為 42.7、 21.7、16.1 億美元。除 CMP 拋光墊國產(chǎn)化率水平仍較低，其余幾種材料均已 實現(xiàn)一定程度的國產(chǎn)替代，電子特氣、CMP 拋光液、濕化學品國產(chǎn)化率分別 約為 25%、20%、20%，部分產(chǎn)品可達國際*制程水平對應技術要求。在下 游市場不斷擴大，技術壁壘實現(xiàn)突破，國產(chǎn)化率取得進展的背景下，我們預 計電子特氣、CMP 拋光材料、濕化學品的國產(chǎn)替代將持續(xù)推進，實現(xiàn)行業(yè)快 速發(fā)展。

6. 石英材料:貫穿半導體制造全程，下游半導體、光通訊、光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展將 推動行業(yè)快速上行

石英材料(石英鐘罩、石英管、光掩?；?、石英環(huán)、石英清洗箱、石英花 籃、石英舟等)是半導體制造的重要材料，其應用貫穿晶圓制造全程。半導 體用石英材料目前國產(chǎn)化率低，市場幾乎為國外公司壟斷。受益于下游半導 體產(chǎn)能轉(zhuǎn)移、5G 光纖需求增長、光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展，石英材料行業(yè)有望加速 進口替代，進入快速上行趨勢。